MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16TD-062E AUT:R 제조: Micron Technology 및 K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16TD-062E AUT:R | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.90 | $16.90 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT grade) | — |
| Packaging Suffix | -R (Tape & Reel) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |